Высказывания: 1. В наборе инструментов не хватает именно того гаечного ключа или сверла, которые нужны. Четыре принципа производственника
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора DTC115EE
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора DTC115EE . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
150
50
50
10
100
-55+150
250000000
-
80
Производитель: ROHM Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора DTC115EE:
Корпус: SOT-416. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора DTC115EE
Общий вид транзистора DTC115EE.
Цоколевка транзистора DTC115EE.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.