Высказывания: Когда ты говоришь, слова твои должны быть лучше молчания. /Аль-Хусри, араб. писатель 1061/
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора DTC123JUB
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора DTC123JUB . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
200
50
50
5
100
-55+150
250000000
-
-
Производитель: ROHM Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора DTC123JUB:
Корпус: SC-85. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора DTC123JUB
Общий вид транзистора DTC123JUB.
Цоколевка транзистора DTC123JUB.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.