Высказывания: Если назначается специальный человек для контроля за чистотой исходной информации, то найдется изобретательный идиот, который придумает способ, чтобы неправильная информация прошла через этот контроль.
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора DTC124EE
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора DTC124EE . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
150
50
50
10
100
-55+150
250000000
-
60
Производитель: ROHM Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора DTC124EE:
Корпус: SOT-416,SOT-523. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора DTC124EE
Общий вид транзистора DTC124EE.
Цоколевка транзистора DTC124EE.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.