Высказывания:
Человек всё ещё молод, пока может учиться, приобретать новые привычки и сносить возражения.
Мария фон Эбнер-Эшенбах
Основные параметры биполярного высокочастотного pnp транзистора 2SB1386-P
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2SB1386-P . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
500
30
20
6
10000
-55+150
120000000
60
82-180
Производитель: MCC Сфера применения: Популярность: 338 Дополнительные параметры транзистора 2SB1386-P:
Корпус: SOT-89. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SB1386-P
Общий вид транзистора 2SB1386-P.
Цоколевка транзистора 2SB1386-P.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
