Высказывания: Хочешь мира - готовь его, готовь, не щадя своих сил, каждый день твоей жизни, каждый час твоих дней. Стефан Цвейг.
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора STN715
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора STN715 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
1600
140
80
5
2000
-65+150
50000000
-
40
Производитель: STMicroelectronics Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора STN715:
Корпус: SOT-223. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора STN715
Общий вид транзистора STN715.
Цоколевка транзистора STN715.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.