Высказывания: Природа - это не только источник законов, но образец для подражания. Ральф Уолдо Эмерсон
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора MJB44H11T4
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора MJB44H11T4 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
50000
80
80
5
20000
-55+150
50000000
130
40
Производитель: STMicroelectronics Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора MJB44H11T4:
Корпус: TO-263. Ton 300nS, Toff 640nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJB44H11T4
Общий вид транзистора MJB44H11T4.
Цоколевка транзистора MJB44H11T4.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.