Высказывания: По спине похлопывают всего лишь на несколько сантиметров выше того места, куда дают пинка под зад. Закон Перкина
Основные параметры биполярного, низкочастотного, pnp транзистора MJ15004G
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, pnp транзистора MJ15004G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
250000
140
140
5
20000
-65+200
2000000
1000
25-150
Производитель: ON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора MJ15004G:
Корпус: TO-204. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJ15004G
Общий вид транзистора MJ15004G.
Цоколевка транзистора MJ15004G.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.