Высказывания: Если начальник пытается произвести впечатление на подчиненных знанием деталей, он теряет из виду конечную цель.
Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора NJVMJD45H11T4G
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора NJVMJD45H11T4G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
20000
80
80
5
16000
-55+150
90000000
130
40
Производитель: ON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора NJVMJD45H11T4G:
Корпус: TO-252. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора NJVMJD45H11T4G
Общий вид транзистора NJVMJD45H11T4G.
Цоколевка транзистора NJVMJD45H11T4G.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.