Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора 2SK1101-01MR.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

12.1.2017 В 2017 году российские разработчики электронн...

9.5.2016 С Днем Победы!!!...

31.3.2016 Специалисты ОАО «Ангстрем» разработали и выпу...







Высказывания:
В последний день приема лекарств, пилюль или совсем нет, или остается слишком много.





Основные параметры полевого n-канального транзистора 2SK1101-01MR

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора 2SK1101-01MR . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: n-канал
Структура (технология):

Pd max, мВтUds max, ВUdg max, ВUgs max, ВId max, мАTj max, °CFr (T on/of)Ciss tip, пФRds, Ом
50000450-3035000-55+150(Ton:30/Tof:160nS) 12000,5

Производитель: Fuji Electronics
Сфера применения:
Популярность: 318
Дополнительные параметры транзистора 2SK1101-01MR: Корпус: TO-220F; Rth: 2,5°C; Coss: 160пФ; Crss: 70пФ; Trise: 80нc; Tfall: 80нc; Trr: 500нc;
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 2SK1101-01MR

Общий вид транзистора 2SK1101-01MR.Цоколевка транзистора 2SK1101-01MR.
Общий вид транзистора 2SK1101-01MR Цоколевка транзистора 2SK1101-01MR

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.

Дата создания страницы: 2016-03-26 12:20:20; Пользователь: .



Аналоги транзистора 2SK1101-01MR

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SK1101-01MR.

Вы знаете больше о транзисторе 2SK1101-01MR, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2SK1101-01MR.
Добавить рисунок транзистора 2SK1101-01MR.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2SK1101-01MR.

Содержание справочника транзисторов

Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Добавить описание полевого транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Добавить описание биполярного транзистора.

Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.

Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.

Типоразмеры корпусов транзисторов.
Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:

   




По маркировке

2008-2017. Параметры транзисторов. 7525.