Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора 2SK1098-M.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Высказывания:
…С некоторого времени Северо-Американские Штаты обращают на себя в Европе внимание людей наиболее мыслящих… Но несколько глубоких умов в недавнее время занялись исследованием нравов и постановлений американских, и их наблюдения возбудили снова вопросы, которые полагали давно уже решёнными. Уважение к сему новому народу и к его уложению, плоду новейшего просвещения, сильно поколебалось. С изумлением увидели демократию в её отвратительном цинизме, в её жестоких предрассудках, в её нестерпимом тиранстве. Всё благородное, беcкорыстное, всё возвышающее душу человеческую — подавленное неумолимым эгоизмом и страстию к довольству.
А.С.Пушкин в критической статье о мемуарах Джона Теннера



Основные параметры полевого n-канального транзистора 2SK1098-M

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора 2SK1098-M . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: n-канал
Структура (технология):

Pd max, мВтUds max, ВUdg max, ВUgs max, ВId max, мАTj max, °CFr (T on/of)Ciss tip, пФRds, Ом
30000150-2024000-55+150(Ton:10/Tof:90nS) 6000,33

Производитель: Fuji Electronics
Сфера применения:
Дополнительные параметры транзистора 2SK1098-M: Корпус: TO-220F; Rth: 4,17°C; Coss: 100пФ; Crss: 30пФ; Trise: 40нc; Tfall: 30нc; Trr: 80нc;
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 2SK1098-M

Общий вид транзистора 2SK1098-M.Цоколевка транзистора 2SK1098-M.
Общий вид транзистора 2SK1098-M Цоколевка транзистора 2SK1098-M

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.

Дата создания страницы: 2016-04-25 17:47:14; Пользователь: .



Аналоги транзистора 2SK1098-M





Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SK1098-M.

Вы знаете больше о транзисторе 2SK1098-M, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2SK1098-M.
Добавить рисунок транзистора 2SK1098-M.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2SK1098-M.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru