Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора 2SK3115B.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

12.1.2017 В 2017 году российские разработчики электронн...

9.5.2016 С Днем Победы!!!...

31.3.2016 Специалисты ОАО «Ангстрем» разработали и выпу...







Высказывания:
Многие дела нашей партии и народа, будут извращены и оплёваны прежде всего за рубежом, да и в нашей стране тоже. Сионизм, рвущийся к мировому господству, будет жестоко мстить нам за наши успехи и достижения. Он всё ещё рассматривает Россию как варварскую страну, как сырьевой придаток. И имя моё тоже будет оболгано, оклеветано. Мне припишут множество злодеяний.
Мировой сионизм всеми силами будет стремиться уничтожить наш Союз, что бы Россия больше никогда не могла подняться. Сила СССР - в дружбе народов. Остриё борьбы будет направлено прежде всего на разрыв этой дружбы, на отрыв окраин от России. Здесь, надо признаться, мы ещё не всё зделали. Здесь ещё большое поле работы.
С особой силой поднимет голову национализм. Он на какое то время придавит интернационализм и патриотизм, только на какое - то время. Возникнут национальнве группы внутри наций и конфликты. Появится много вождей - пигмеев, предателей внутри своих наций. В целом в будущем развитие пойдёт более сложными и даже бешеными путями, повороты будут предельно крутыми. Дело идёт к тому, что особенно взбударажится Восток. Возникнут острые противоречия с Западом.
И всё же, как бы ни развивались события, но пройдёт время, и взоры новых поколений будут обращены к делам и победам нашего социалистического Отечества. Год за годом будут приходить новые поколения. Они вновь подымут знамя своих отцов и дедов и отдадут нам должное сполна.
Своё будущее они будут строить на нашем прошлом.
Сталин И.В. Из записи беседы с А. Коллонтай




Основные параметры полевого n-канального транзистора 2SK3115B

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора 2SK3115B . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: n-канал
Структура (технология):

Pd max, мВтUds max, ВUdg max, ВUgs max, ВId max, мАTj max, °CFr (T on/of)Ciss tip, пФRds, Ом
35000600-3024000-55+150(Ton:16/Tof:29nS) 10900,9

Производитель: Renesas (NEC, Hitachi)
Сфера применения:
Популярность: 242
Дополнительные параметры транзистора 2SK3115B: Корпус: TO-220F; Coss: 380пФ; Crss: 53пФ; Qg: 21нКл; Qgs: 8нКл; Qgd: 8нКл; Trise: 11нc; Tfall: 8нc; Trr: 360нc;
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 2SK3115B

Общий вид транзистора 2SK3115B.Цоколевка транзистора 2SK3115B.
Общий вид транзистора 2SK3115B Цоколевка транзистора 2SK3115B

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.

Дата создания страницы: 2016-05-28 13:20:37; Пользователь: .



Аналоги транзистора 2SK3115B

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SK3115B.

Вы знаете больше о транзисторе 2SK3115B, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2SK3115B.
Добавить рисунок транзистора 2SK3115B.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2SK3115B.

Содержание справочника транзисторов

Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Добавить описание полевого транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Добавить описание биполярного транзистора.

Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.

Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.

Типоразмеры корпусов транзисторов.
Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:

   




По маркировке

2008-2017. Параметры транзисторов. 7525.