Юмор: Женщина, которая ценит себя слишком низко, сбивает цену всех женщин.
Основные параметры полевого n-канального транзистора SIHG20N50C-E3
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора SIHG20N50C-E3 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология):
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
292000
500
-
5
20000
-
-
2942
0,27
Производитель: Others Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора SIHG20N50C-E3:
Корпус: TO-247; Rth: 0°C; Qg: 76нКл; Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора SIHG20N50C-E3
Общий вид транзистора SIHG20N50C-E3.
Цоколевка транзистора SIHG20N50C-E3.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2016-07-16 16:27:51; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.