Мысли и афоризмы: Под сладкими выражениями таятся мысли коварные; так от курящего табак нередко пахнет духами. Козьма Прутков.
Основные параметры полевого n-канального транзистора IRF8010S
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора IRF8010S . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология):
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
260000
100
-
20
80000
175
-
-
0,015
Производитель: International Rectifier Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора IRF8010S:
Корпус: TO-263; Rth: 0,57°C; Qg: 81нКл; Qgd: 26нКл; Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IRF8010S
Общий вид транзистора IRF8010S.
Цоколевка транзистора IRF8010S.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2016-08-13 10:51:15; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.