Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора 12N65AF.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

9.5.2018 С Днем Победы!!!...

9.5.2017 С Днем Победы!!!...

12.1.2017 В 2017 году российские разработчики электронн...







Юмор:
На один из заводов России неожиданно приезжает иностранная делегация, главный инженер ведет ее по цехам. Заходят в инструментальный цех. А там мастер «открытым текстом» распекает работягу. Иностранцы интересуются: о чем речь, переведите. Инженер и все остальные растерялись. Переводчик пробует объяснить, мол непереводимая игра слов. Иностранцы настаивают: ну переведите хотя бы приблизительно. Тогда переводчик говорит:
- Мастер цеха, назвав рабочего собакой женского пола, сказал ему: если он к обеду не изготовит вот эту деталь, то он вступит с ним в интимные отношения. В ответ на это рабочий назвал мастера женщиной легкого поведения и особо подчеркнул, что он уже давно состоит в интимных отношениях, как с мастером, так и с этой деталью, да и со всем заводом вместе.





Основные параметры полевого n-канального транзистора 12N65AF

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора 12N65AF . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: n-канал
Структура (технология):

Pd max, мВтUds max, ВUdg max, ВUgs max, ВId max, мАTj max, °CFr (T on/of)Ciss tip, пФRds, Ом
51000650-3048000-55+150(Ton:30/Tof:95nS) 14800,65

Производитель: Nell semiconductor
Сфера применения:
Популярность: 293
Дополнительные параметры транзистора 12N65AF: Корпус: TO-220F; dV/dt: 4,5В/нс; Rth: 2,4°C; Coss: 200пФ; Crss: 25пФ; Qg: 42нКл; Qgs: 8,6нКл; Qgd: 21нКл; Trise: 115нc; Tfall: 85нc; Trr: 380нc;
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 12N65AF

Общий вид транзистора 12N65AF.Цоколевка транзистора 12N65AF.
Общий вид транзистора 12N65AF Цоколевка транзистора 12N65AF

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.

Дата создания страницы: 2017-10-02 12:11:59; Пользователь: .



Аналоги транзистора 12N65AF

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 12N65AF.

Вы знаете больше о транзисторе 12N65AF, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 12N65AF.
Добавить рисунок транзистора 12N65AF.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 12N65AF.

Другие разделы справочника:

Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Типоразмеры корпусов транзисторов.
Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:

   




По маркировке

2008-2018. Параметры транзисторов. 7526.