Высказывания: Наименьшие грешники приносят наибольшее покаяние. Мария фон Эбнер-Эшенбах
Основные параметры полевого n-канального транзистора IRFD123PBF
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора IRFD123PBF . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология):
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
1300
100
-
4
1300
-
-
360
0,27
Производитель: Others Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора IRFD123PBF:
Корпус: DIP-4; Rth: 0°C; Qg: 16нКл; Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IRFD123PBF
Общий вид транзистора IRFD123PBF.
Цоколевка транзистора IRFD123PBF.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2017-12-16 11:12:52; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.