Высказывания: Многие дела нашей партии и народа, будут извращены и оплёваны прежде всего за рубежом, да и в нашей стране тоже. Сионизм, рвущийся к мировому господству, будет жестоко мстить нам за наши успехи и достижения. Он всё ещё рассматривает Россию как варварскую страну, как сырьевой придаток. И имя моё тоже будет оболгано, оклеветано. Мне припишут множество злодеяний. Мировой сионизм всеми силами будет стремиться уничтожить наш Союз, что бы Россия больше никогда не могла подняться. Сила СССР - в дружбе народов. Остриё борьбы будет направлено прежде всего на разрыв этой дружбы, на отрыв окраин от России. Здесь, надо признаться, мы ещё не всё зделали. Здесь ещё большое поле работы. С особой силой поднимет голову национализм. Он на какое то время придавит интернационализм и патриотизм, только на какое - то время. Возникнут национальнве группы внутри наций и конфликты. Появится много вождей - пигмеев, предателей внутри своих наций. В целом в будущем развитие пойдёт более сложными и даже бешеными путями, повороты будут предельно крутыми. Дело идёт к тому, что особенно взбударажится Восток. Возникнут острые противоречия с Западом. И всё же, как бы ни развивались события, но пройдёт время, и взоры новых поколений будут обращены к делам и победам нашего социалистического Отечества. Год за годом будут приходить новые поколения. Они вновь подымут знамя своих отцов и дедов и отдадут нам должное сполна. Своё будущее они будут строить на нашем прошлом. Сталин И.В. Из записи беседы с А. Коллонтай
Основные параметры полевого n-канального транзистора FQA7N80C_F109
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора FQA7N80C_F109 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология):
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
198000
800
-
5
7000
-
-
1680
1,9
Производитель: FairChild (Samsung) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора FQA7N80C_F109:
Корпус: TO-3PN,TO-247; Rth: 0°C; Qg: 27нКл; Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора FQA7N80C_F109
Общий вид транзистора FQA7N80C_F109.
Цоколевка транзистора FQA7N80C_F109.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2018-11-20 16:58:41; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.