Высказывания: Искусственный интеллект и близко не сравнится с естественной глупостью. Правило Лемма Салливена
Основные параметры полевого n-канального транзистора AP85T03GH/J (85TO3GH ?AP85TO3GP_AP85T03GP?)
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора AP85T03GH/J (85TO3GH ?AP85TO3GP_AP85T03GP?) . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология): MOSFET
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
107000
30
±20
75000
-55+175
(11ns/35ns)
0,006
Производитель: Advanced Power Electronics Corp. Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора AP85T03GH/J (85TO3GH ?AP85TO3GP_AP85T03GP?):
AP85T03GH и AP85T03GJ отличаются друг от друга типом корпуса. AP85T03GP ,скорее всего, отличается от них тоже только лишь другим типом корпуса(вопрос в маркировке поставил, т.к. точно не знаю). Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.