Высказывания: Газеты, освещающие бизнес, читают по одной из пяти причин: 1.Узнать сплетни. 2.Проверить, напечатали ли придуманную версию. 3.Убедиться, что истинная история не стала достоянием гласности. 4.Прочитать колкости в адрес проводимых в данный момент или просто модных кампаний. 5.Увидеть объявления о работе. Закон чтения деловых изданий Фостера
Основные параметры транзистора ECG76 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора ECG76 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
5W
50V
30V
-
400mA
175°C
1.8MHz
-
30MIN
Производитель: ECG Сфера применения: - Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора ECG76
Общий вид транзистора ECG76.
Цоколевка транзистора ECG76.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.