Параметры транзистора 2N1008A. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

28.1.2023 Не названные, информированные источники агент...

23.1.2023 Итоги 2022 года показали стабильный рост выру...

22.1.2023 Строится фабрика для производства микроэлектр...







Высказывания:
Творческая личность подчиняется иному, более высокому закону, чем закон простого долга. Для того, кто призван совершить великое деяние, осуществить открытие или подвиг, двигающий вперед все человечество, для того подлинной родиной является уже не его отечество, а его деяние. Он ощущает себя ответственным в конечном счете только перед одной инстанцией - перед той задачей, которую ему предназначено решить, и он скорее позволит себе презреть государственные и временные интересы, чем то внутреннее обязательство, которое возложили на него его особая судьба, особое дарование.
Стефан Цвейг.



Основные параметры транзистора 2N1008A биполярного низкочастотного pnp.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора 2N1008A . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: германий (Ge)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc maxUcb maxUce maxUeb maxIc maxTj max, °CFt maxCc tipHfe
200mW40V35V-300mA85°C400KHz -40/150

Производитель: SYL
Сфера применения: Power, General Purpose
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 2N1008A

Общий вид транзистора 2N1008A.Цоколевка транзистора 2N1008A.
Общий вид транзистора 2N1008A Цоколевка транзистора 2N1008A

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора 2N1008A
Где купить транзистор 2N1008A?


Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2N1008A.

Вы знаете больше о транзисторе 2N1008A, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2N1008A.
Добавить рисунок транзистора 2N1008A.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2N1008A.


Другие разделы справочника:

Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Типоразмеры корпусов транзисторов.

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:




По маркировке

2008-2023. Параметры транзисторов. 7531.
Top.Mail.Ru