Высказывания: Есть два способа подняться над соседом: возвыситься самому или унизить его. Никогда не следуй вторым путем. Вместо того чтобы копать яму другому, употребите эти силы на то, чтобы насыпать холм для самого себя.
Основные параметры транзистора 2N5413 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N5413 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
5W
60V
40V
6V
2A
200°C
250MHz
-
25/100
Производитель: TI Сфера применения: VHF, Power, Switching Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2N5413
Общий вид транзистора 2N5413.
Цоколевка транзистора 2N5413.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.