Высказывания: Ничто так не способствует успешному внедрению новшеств, как отсутствие проверок. Закон Муэнча
Основные параметры транзистора 2N5551 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N5551 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
310mW
180V
160V
6V
600mA
135°C
100MHz
6
80/250
Производитель: MOTOROLA Сфера применения: RF, Medium Power, High Voltage Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2N5551
Общий вид транзистора 2N5551.
Цоколевка транзистора 2N5551.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2N5551.
Дополнение: Бывает цоколёвка в корпусе TO-92 1-Э, 2-К, 3-Б. То есть тот-же транзистор, но с другой цоколёвкой, мультиметр вам в помощь..
Дата добавления: 2015-02-15 08:11:22; Пользователь: chief.mostovoj.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.