Высказывания: Кто не отдается науке страстно, тот, в лучшем случае, становится педагогом. Из самых недр своего существа надо подходить к вещам. Всегда - всегда страсть должна служить импульсом к работе. Стефан Цвейг.
Основные параметры транзистора 2SB336 биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора 2SB336 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: германий (Ge) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
83mW
20V
12V
10V
60mA
75°C
400KHz
-
80T
Производитель: MATSUSHITA Сфера применения: Low Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SB336
Общий вид транзистора 2SB336.
Цоколевка транзистора 2SB336.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.