Высказывания: Кризис разрушил интеллектуальные основы мировой экономики, которыми мы руководствовались на протяжении четверти века. Теперь нам нужна глобализация нового рода, более справедливая глобализация, глобализация с человеческим лицом. Стросс Кан, руководитель МВФ (апрель 2011). На встрече со студентами в Университете имени Джорджа Вашингтона.
Основные параметры транзистора 2SC1970 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC1970 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
5W
36V
18V
4V
500mA
150°C
175MHz
-
10/180
Производитель: MITSUBISHI Сфера применения: VHF, Medium Power, Hihg Current Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SC1970
Общий вид транзистора 2SC1970.
Цоколевка транзистора 2SC1970.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.