Высказывания: Сейчас растет, уже почти выросло первое поколение, сформированное рейтинговым ТВ. Дети, которые к 18 годам увидели свыше 20 тысяч убийств. Такого народа в истории цивилизации еще не было. Не надо иллюзий. Это теперь народ России.
Основные параметры транзистора BDW73 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора BDW73 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
80W
45V
45V
5V
8A
150°C
1MHz
-
750MIN
Производитель: TI Сфера применения: Darlington, Power Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BDW73
Общий вид транзистора BDW73.
Цоколевка транзистора BDW73.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.