Высказывания: Я вынужден думать, что существует нечто подобное сверхъестественному началу моего уникального, сознающего себя духа и моей уникальной души... Идея сверхъестественного творения помогает мне избежать очевидно нелепого умозаключения о генетическом происхождении моего уникального «Я» Из лекции нейрофизиолога Джона ЭККЛЗА (род. 1903) во время получения им Нобелевской премии.
Основные параметры транзистора BDY82A биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора BDY82A . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
36W
40V
35V
10V
4A
150°C
800KHz
500
40/80
Производитель: MISTRAL Сфера применения: Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BDY82A
Общий вид транзистора BDY82A.
Цоколевка транзистора BDY82A.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.