Высказывания: Никогда не делай долгов; лучше терпи нужду; поверь, она не так ужасна, как кажется, и, во всяком случае, она лучше неизбежности вдруг оказаться бесчестным или прослыть таковым. Пушкин Александр Сергеевич
Основные параметры транзистора BSY66 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора BSY66 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
50mW
10V
-
3V
-
100°C
-
-
10/20
Производитель: ITT Сфера применения: Low Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BSY66
Общий вид транзистора BSY66.
Цоколевка транзистора BSY66.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.