Параметры транзистора BU941Z. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Юмор:
Вчера, во время игры в карты, безнаказанно назвала мужа 10 раз 'дураком'... Сегодня сижу и думаю, может ему в домино сыграть предложить?



Основные параметры транзистора BU941Z биполярного низкочастотного npn.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора BU941Z . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc maxUcb maxUce maxUeb maxIc maxTj max, °CFt maxCc tipHfe
180W350V300V5V15A175°C- -300MIN

Производитель: STE
Сфера применения: Darlington, Power
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора BU941Z

Общий вид транзистора BU941Z.Цоколевка транзистора BU941Z.
Общий вид транзистора BU941Z Цоколевка транзистора BU941Z

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора BU941Z
Где купить транзистор BU941Z?


Коллективный разум. Дополнения для транзистора BU941Z.

Дополнение: BU941Z транзистор Transistor: BU941Z - (=> составной, есть и вариант в пластмассовом корпусе) Structure: 2npn+2D+2R Collector–emitter voltage (open base) 350v Emitter–base voltage (open collector) 5v Collector current (peak value) 15A Collector Dissipation (TC=25°C) 180W DC Current Gain (hFE) 300 The case: TO-3P Pin:(1, 2, 3) be c-tab Арсеньев А.И. http://www.stabilizatornapryjeniy.ru/article-bu941z_tranzistor.html (=> есть электрическая схема).
Дата добавления: 2014-01-07 22:42:05; Пользователь: A..


Вы знаете больше о транзисторе BU941Z, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора BU941Z.
Добавить рисунок транзистора BU941Z.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора BU941Z.


Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru