Высказывания: Я вынужден думать, что существует нечто подобное сверхъестественному началу моего уникального, сознающего себя духа и моей уникальной души... Идея сверхъестественного творения помогает мне избежать очевидно нелепого умозаключения о генетическом происхождении моего уникального «Я» Из лекции нейрофизиолога Джона ЭККЛЗА (род. 1903) во время получения им Нобелевской премии.
Основные параметры транзистора MP8134 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора MP8134 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
3W
20V
20V
5V
1.2A
150°C
-
-
150MIN
Производитель: MCE Сфера применения: - Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MP8134
Общий вид транзистора MP8134.
Цоколевка транзистора MP8134.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.