Высказывания: Чем больше затраты на выполнение плана, тем меньше шансов отказаться от него - даже если он окажется несостоятельным.Следствие: Чем выше престиж людей, стоящих за планом, тем меньше шансов его отмены. Теорема неизбежности Бахмана
Основные параметры транзистора S637T биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора S637T . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
100W
-
400V
-
15A
150°C
-
-
100MIN
Производитель: TELEFUNKEN Сфера применения: - Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора S637T
Общий вид транзистора S637T.
Цоколевка транзистора S637T.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.