Высказывания: Этические принципы, на которых основаны исламские финансы, могут помочь приблизить банки к клиентам и вдохнуть в них истинный дух, который должен присутствовать в любых финансовых услугах. L'Osservatore Romano, официальная газета Ватикана
Основные параметры транзистора UN521T биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора UN521T . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
150mW
50V
50V
6V
100mA
150°C
150MHz
-
80/400
Производитель: MATSUSHITA Сфера применения: Digital, Internal Rezistors R1=22K,R2=47K Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора UN521T
Общий вид транзистора UN521T.
Цоколевка транзистора UN521T.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.