Высказывания: Есть два способа подняться над соседом: возвыситься самому или унизить его. Никогда не следуй вторым путем. Вместо того чтобы копать яму другому, употребите эти силы на то, чтобы насыпать холм для самого себя.
Основные параметры транзистора UPT523 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора UPT523 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
25W
300V
250V
5V
3A
200°C
15MHz
120
25MIN
Производитель: UNITRODE Сфера применения: Power, High Voltage, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора UPT523
Общий вид транзистора UPT523.
Цоколевка транзистора UPT523.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.