Высказывания: Один из умнейших людей прошлого века, Ницше, изрек чудовищный афоризм: 'Не пытайтесь лечить неизлечимое'. Но это едва ли не самый лживый из всех опасных парадоксов, которые он предоставил разрешать нам. Я утверждаю, что истина в противоположном: как раз неизлечимое и надо пытаться лечить; более того - только на так называемых 'неизлечимых' и проверяется искусство врача. Признавая больного неизлечимым, врач уклоняется от выполнения своего долга, он капитулирует до сражения. Стефан Цвейг.
Основные параметры транзистора 2SB1268Q биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора 2SB1268Q . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
30W
60V
60V
6V
5A
150°C
10MHz
160
70/140
Производитель: HITACHI Сфера применения: RF, Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SB1268Q
Общий вид транзистора 2SB1268Q.
Цоколевка транзистора 2SB1268Q.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.