Высказывания: Природа, давшая нам лишь один орган для речи, дала два органа для слуха, дабы мы знали, что надо больше слушать, чем говорить.
Основные параметры транзистора IXSH24N60 (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора IXSH24N60 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
150W
600V
2.2V
600V
±20V
48A
150°C
100/450nS
1800pF
Производитель: IXYS Сфера применения: HiPer FAST IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IXSH24N60
Общий вид транзистора IXSH24N60.
Цоколевка транзистора IXSH24N60.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.