Биполярный транзистор APT12GT60KR с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT). Интернет-справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

23.1.2023 Итоги 2022 года показали стабильный рост выру...

22.1.2023 Строится фабрика для производства микроэлектр...

24.11.2022 Открыт новый путь развития полупроводниковой ...







Высказывания:
Если ученый обнаружил факт, пригодный для печати, то последний становится центральным элементом его теории.Следствие: Эта теория, в свою очередь, становится центральной для всего научного направления.
Закон Менна



Основные параметры транзистора APT12GT60KR (БТИЗ, IGBT).

Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора APT12GT60KR с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Полярность: N-Channel

Pc maxUce maxUcesatUcg maxUeg maxIc maxTj max, °CFr (Ton/of)Cc tip
125W600V-600V±20V12A150°C150KHz 580pF

Производитель: Advanced Power
Сфера применения: Thunderbolt IGBT™
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора APT12GT60KR

Общий вид транзистора APT12GT60KR.Цоколевка транзистора APT12GT60KR.
Общий вид транзистора APT12GT60KR Цоколевка транзистора APT12GT60KR

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора APT12GT60KR

Коллективный разум. Дополнения для транзистора APT12GT60KR.

Вы знаете больше о транзисторе APT12GT60KR, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора APT12GT60KR.
Добавить рисунок транзистора APT12GT60KR.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора APT12GT60KR.

Другие разделы справочника:

Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Типоразмеры корпусов транзисторов.

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:




По маркировке

2008-2023. Параметры транзисторов. 7531.
Top.Mail.Ru