Цитата: Сейчас говорю я с вами на живом языке Бога живого, Духом Святым Отца Небесного. И нет ещё среди вас ни одного, кто смог бы понять всё, что я вам принёс. Те же, кто толкует для вас писания, говорят с вами мёртвыми языками больной и немощной плоти. И внемлют им и понимают их лишь потому, что все вокруг них больны и пребывают в смерти, и не видит никто из них Света Жизни. Слепцы ведут за собой слепцов темными тропами греха и болезней и страданий, и приходят в конце в смертную бездну. Благая весть мира Иисуса Христа в изложении ученика Иоанна (Евангелие Мира от ессеев)
Основные параметры транзистора IXSH20N60U1 (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора IXSH20N60U1 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
150W
600V
2.5V
600V
±20V
40A
150°C
100/450nS
1800pF
Производитель: IXYS Сфера применения: IGBT/DIODE COMBI-PACK Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IXSH20N60U1
Общий вид транзистора IXSH20N60U1.
Цоколевка транзистора IXSH20N60U1.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
