Высказывания: Даже если ваше объяснение настолько ясно, что исключает всякое ложное толкование, все равно найдется человек, который поймет вас неправильно. Следствия из закона Чизхолма
Основные параметры транзистора IXSH45N100 (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора IXSH45N100 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
-
1000V
-
-
-
75A
150°C
-
-
Производитель: IXYS Сфера применения: LOW SATURATION VOLTAGE IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IXSH45N100
Общий вид транзистора IXSH45N100.
Цоколевка транзистора IXSH45N100.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.