Мысли и афоризмы: Смерть для того поставлена в конце жизни, чтобы удобнее к ней приготовиться. Козьма Прутков.
Основные параметры транзистора GT8J102 (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора GT8J102 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
50W
600V
4V
-
-
8A
150°C
0.35µS
-
Производитель: TOSHIBA Сфера применения: Second-Generation IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора GT8J102
Общий вид транзистора GT8J102.
Цоколевка транзистора GT8J102.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.