Высказывания: Если атака проходит незамеченной для администратора безопасности, значит вас ждет ловушка. Основной закон для хакеров.
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора MJH11022G
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора MJH11022G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
150000
250
250
5
30000
-65+150
3000000
400
100-15000
Производитель: ON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора MJH11022G:
Корпус: TO-218,TO-247. Ton 1350nS, Toff 6900nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJH11022G
Общий вид транзистора MJH11022G.
Цоколевка транзистора MJH11022G.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.