Высказывания: Если бы строители строили здания так же, как программисты пишут программы, первый залетевший дятел разрушил бы цивилизацию. Второй закон Вейнберга
Основные параметры биполярного низкочастотного pnp транзистора 2SA1941
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора 2SA1941 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
100000
140
140
5
20000
-55+150
30000000
320
35-160
Производитель: Toshiba Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора 2SA1941:
Корпус: TO-3PI. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SA1941
Общий вид транзистора 2SA1941.
Цоколевка транзистора 2SA1941.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
