Высказывания: Никогда не удается делать что-то одно. Закон Хардина
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора tsc5802d
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора tsc5802d . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
30000
1050
450
15
2000
150
800000
50/100
Производитель: TAIWAN SEMICONDUCTOR Сфера применения: Схемы высоковольтного переключения. Дополнительные параметры транзистора tsc5802d:
Tf(Fall Time)= 0,0000012s Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора tsc5802d
Общий вид транзистора tsc5802d.
Цоколевка транзистора tsc5802d.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Дата создания страницы: 2014-11-05 07:44:15; Пользователь: Д..
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.