Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора 1Т806А.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

28.1.2023 Не названные, информированные источники агент...

23.1.2023 Итоги 2022 года показали стабильный рост выру...

22.1.2023 Строится фабрика для производства микроэлектр...







Высказывания:
Не лги, что павшая страна
Была обитель зла и фальши.
Я помню эти времена,
Я помню всё, что было раньше

Там волчьей не было грызни,
Там люди верили друг другу.
И вместо 'Слабого толкни' -
Всегда протягивали руку.

Там секс не лез вперёд любви,
Там братство было просто братством,
И не учили по TV
Всё дозволяемому 6лядству.

Там вор, бандит, подлец и мразь
Страшились сильного закона,
И не бывала отродясь
Фемида в рабстве у Мамоны.

Я помню эти времена.
Я помню всё и не забуду,
Не лги, что павшая страна
Была обитель зла… Иуда!






Основные параметры биполярного низкочастотного pnp транзистора 1Т806А

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора 1Т806А . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор:
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
300007520000-10000000 --

Производитель: USSR
Сфера применения:
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 1Т806А

Общий вид транзистора 1Т806А.Цоколевка транзистора 1Т806А.
Общий вид транзистора 1Т806А Цоколевка транзистора 1Т806А

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2017-07-19 14:07:47.


Аналоги транзистора 1Т806А


Коллективный разум. Дополнения для транзистора 1Т806А.

Вы знаете больше о транзисторе 1Т806А, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 1Т806А.
Добавить рисунок транзистора 1Т806А.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 1Т806А.

Другие разделы справочника:

Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Типоразмеры корпусов транзисторов.

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:




По маркировке

2008-2023. Параметры транзисторов. 7531.
Top.Mail.Ru