Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора 2N6488G.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

28.1.2023 Не названные, информированные источники агент...

23.1.2023 Итоги 2022 года показали стабильный рост выру...

22.1.2023 Строится фабрика для производства микроэлектр...







Мудрость:
Прежде, чем что-либо сказать - подумай трижды.
Один человек пришел к Сократу и спросил:
- А знаешь что мне сказал о тебе твой друг?
- Подожди, - остановил его Сократ, - Просей сначала то, что собираешься сказать, через три сита.
- Три сита?
- Прежде чем что-нибудь говорить, нужно трижды просеять это. Во-первых, через сито правды. Ты уверен, что то, что ты скажешь, правда?
- Нет. Просто я слышал…
- Очень хорошо. Значит, ты не знаешь, правда это или нет. Тогда просеем через второе сито - сито доброты. Ты хочешь сказать о моем друге что-то хорошее?
- Нет! Напротив!
- Значит, - продолжал Сократ, - ты собираешься сказать о нем что-то плохое, но даже не уверен, что это правда. Попробуем третье сито - сито пользы. Так ли уж необходимо мне услышать то, что ты хочешь рассказать?
- Нет, в этом нет необходимости.
- Итак, - заключил Сократ, - в том, что ты хочешь сказать, нет ни доброты, ни пользы, ни необходимости. Зачем тогда говорить?…




Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора 2N6488G

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2N6488G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор:
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
750008015000-5000000 -20-150

Производитель: ON
Сфера применения:
Дополнительные параметры транзистора 2N6488G: Корпус: TO-220.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 2N6488G

Общий вид транзистора 2N6488G.Цоколевка транзистора 2N6488G.
Общий вид транзистора 2N6488G Цоколевка транзистора 2N6488G

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2017-12-06 13:42:12.


Аналоги транзистора 2N6488G


Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2N6488G.

Вы знаете больше о транзисторе 2N6488G, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2N6488G.
Добавить рисунок транзистора 2N6488G.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2N6488G.

Другие разделы справочника:

Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Типоразмеры корпусов транзисторов.

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:




По маркировке

2008-2023. Параметры транзисторов. 7531.
Top.Mail.Ru