Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора PHE13007 (РНЕ13007 ?EB13007?).

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Высказывания:
Время проходит! - привыкли вы говорить вследствие установившегося неверного понятия. Время вечно: проходите вы!



Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора PHE13007 (РНЕ13007 ?EB13007?)

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора PHE13007 (РНЕ13007 ?EB13007?) . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
80000700400980001509000000 8/40

Производитель: NXP Semiconductors
Сфера применения:
Дополнительные параметры транзистора PHE13007 (РНЕ13007 ?EB13007?): Tf(Fall Time)max=0,00000012s.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора PHE13007 (РНЕ13007 ?EB13007?)

Общий вид транзистора PHE13007 (РНЕ13007 ?EB13007?).Цоколевка транзистора PHE13007 (РНЕ13007 ?EB13007?).
Общий вид транзистора PHE13007 (РНЕ13007 ?EB13007?) Цоколевка транзистора PHE13007 (РНЕ13007 ?EB13007?)

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2014-11-12 11:08:30; Пользователь: Д..


Аналоги транзистора PHE13007 (РНЕ13007 ?EB13007?)


Коллективный разум. Дополнения для транзистора PHE13007 (РНЕ13007 ?EB13007?).

Вы знаете больше о транзисторе PHE13007 (РНЕ13007 ?EB13007?), чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора PHE13007 (РНЕ13007 ?EB13007?).
Добавить рисунок транзистора PHE13007 (РНЕ13007 ?EB13007?).
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора PHE13007 (РНЕ13007 ?EB13007?).

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru