Высказывания: Судьба, говорят, богиня-покровительница глупых. А разве она не права, помогая именно тем, кто не в состоянии помочь себе самим? /Ч.Колтон/
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора 3DD13007K
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора 3DD13007K . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
80000
700
400
9
8000
150
4000000
8/50
Производитель: JILIN SINO MICROELECTRONICS CO., LTD Сфера применения: Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 3DD13007K
Общий вид транзистора 3DD13007K.
Цоколевка транзистора 3DD13007K.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Дата создания страницы: 2014-11-13 10:15:39; Пользователь: Д..
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.