Высказывания: Если рассмотреть проблему достаточно внимательно, то вы увидите себя как часть этой проблемы. Аксиома Дучарма
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора 2Т856А
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора 2Т856А . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
75000
950
10000
-
10000000
-
-
Производитель: USSR Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора 2Т856А:
Корпус: TO-204AA. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2Т856А
Общий вид транзистора 2Т856А.
Цоколевка транзистора 2Т856А.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.