Высказывания: Отпуск - это такое свободное время, которое дается служащим, чтобы напомнить им, что учреждение может прекрасно обойтись без них и в остальное время года. /Луи Фортен/
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора NTE53
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора NTE53 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
175000
850
400
9
30000
-65+200
6000000
500
6-60
Производитель: NTE Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора NTE53:
Корпус: TO-204AA. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора NTE53
Общий вид транзистора NTE53.
Цоколевка транзистора NTE53.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.