Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора 2N6491G.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

23.1.2023 Итоги 2022 года показали стабильный рост выру...

22.1.2023 Строится фабрика для производства микроэлектр...

24.11.2022 Открыт новый путь развития полупроводниковой ...







Высказывания:
Душа рождается старой и постепенно молодеет. Это комедийная сторона жизни. Тело же рождается молодым и постепенно стареет. А это сторона трагедийная.
Оскар Уайльд



Основные параметры биполярного низкочастотного pnp транзистора 2N6491G

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора 2N6491G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор:
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
750008015000-5000000 -20-150

Производитель: ON
Сфера применения:
Дополнительные параметры транзистора 2N6491G: Корпус: TO-220.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 2N6491G

Общий вид транзистора 2N6491G.Цоколевка транзистора 2N6491G.
Общий вид транзистора 2N6491G Цоколевка транзистора 2N6491G

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2020-04-02 09:44:37.


Аналоги транзистора 2N6491G


Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2N6491G.

Вы знаете больше о транзисторе 2N6491G, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2N6491G.
Добавить рисунок транзистора 2N6491G.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2N6491G.

Другие разделы справочника:

Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Типоразмеры корпусов транзисторов.

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:




По маркировке

2008-2023. Параметры транзисторов. 7531.
Top.Mail.Ru