Юмор: Школьники писали сочинение на тему 'Что бы я сделал для укрепления обороноспособности России если бы меня назначили Министром обороны'. Все сочинения заканчивались одной и той же фразой '....и хрен вы потом меня посадите'.
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора MMBT2222ALP4
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора MMBT2222ALP4 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
480
40
800
-
300000000
-
50
Производитель: Diodes inc. Сфера применения: Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MMBT2222ALP4
Общий вид транзистора MMBT2222ALP4.
Цоколевка транзистора MMBT2222ALP4.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
