Высказывания: Если Вы - красивый инопланетянин, в Вас обязательно влюбится земная девушка. Уточнение Тенчи: ...причем не одна... Следствие Кейтаро: В процессе выяснения отношений между ними Вы всегда будете пострадавшей стороной... Пессимистический вывод Квазимодо: В конце-концов уйдут или погибнут все, кроме одной. Оптимистический вывод Кагэро: Сразу после признания в любви она тоже умрет. 2-ой закон Инопланетной любви
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора NSS1C201MZ4T1G
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора NSS1C201MZ4T1G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
800
100
2000
-
100000000
-
120-360
Производитель: ON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора NSS1C201MZ4T1G:
Корпус: SOT-223. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора NSS1C201MZ4T1G
Общий вид транзистора NSS1C201MZ4T1G.
Цоколевка транзистора NSS1C201MZ4T1G.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.