Высказывания: Есть два способа подняться над соседом: возвыситься самому или унизить его. Никогда не следуй вторым путем. Вместо того чтобы копать яму другому, употребите эти силы на то, чтобы насыпать холм для самого себя.
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора КТ927В
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора КТ927В . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
83300
70
70
3.5
10000
-
105000000
195
40
Производитель: USSR Сфера применения: Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора КТ927В
Общий вид транзистора КТ927В.
Цоколевка транзистора КТ927В.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.